رم Samsung 4GB 2Rx4 DDR3-10600 RDIMM با PN:M393B5170FH0-CH9

رم Samsung 4GB 2Rx4 DDR3-10600 RDIMM (M393B5170FH0-CH9)

رم Samsung 4GB 2Rx4 PC3-10600R DDR3 ECC Registered با پارت نامبر M393B5170FH0-CH9 ، یکی از رم های حافظه مطمئن و پرکاربرد است.

با بهره‌گیری از فرکانس (PC3-10600) و پشتیبانی از فناوری تصحیح خطای ECC، این رم عملکردی پایدار، سریع و بدون خطا را در محیط‌های کاری 24 ساعته فراهم می‌کند.

ویژگی های برجسته Samsung 4GB 2Rx4 DDR3-10600

کارایی و پایداری بی‌نظیر در محیط‌های سروری

رم Samsung M393B5170FH0-CH9 با ساختار Dual Rank (2Rx4) و چیپ‌های باکیفیت صنعتی، پهنای باند مناسبی را برای عملکرد های سنگین از جمله پردازش داده‌ها، مجازی‌سازی و اجرای سرویس‌های تحت شبکه فراهم می‌کند.
این ماژول با قابلیت ECC Registered، خطاهای تک‌بیتی را به صورت خودکار شناسایی و اصلاح می‌کند و از بروز خطاهای سیستمی جلوگیری می‌نماید؛ ویژگی‌ای که برای سرورها حیاتی است.

ساختار Registered DIMM برای حداکثر سازگاری

استفاده از بافر رجیستر (Register) در این نوع رم باعث کاهش فشار الکتریکی روی کنترلر حافظه و افزایش پایداری در زمان استفاده از چندین رم به‌صورت همزمان می‌شود.
این ویژگی باعث می‌شود رم 4GB PC3-10600R برای سرورهایی که نیاز به چندین اسلات رم دارند بهترین انتخاب باشد.

ساختار 2Rx4: رم ساسمونگ 4گیگ 10600 با پشتیبانی از DDR3

رم Samsung 4GB 2Rx4 PC3-10600R از ساختار Dual Rank با چیپ‌های x4 بهره می‌برد، به این معنا که ماژول شامل دو رنک حافظه مستقل است و هر چیپ آن می‌تواند 4 بیت داده را همزمان پردازش کند. این طراحی باعث می‌شود که داده‌ها به صورت موازی روی رنک‌ها منتقل شوند و فشار روی کنترلر حافظه کاهش یابد.

آیا این ماژول دارای قابلیت تصحیح خطا (ECC) است؟

رم 4GB 2Rx4 PC3-10600R (M393B5170FH0-CH9) از نوع DDR3 ECC  است و به طور کامل از قابلیت تصحیح خطای حافظه یا ECC (Error-Correcting Code) پشتیبانی می‌کند. ECC یکی از ویژگی‌های حیاتی در سرورها و سیستم‌های دیتاسنتری است که به حافظه اجازه می‌دهد خطاهای تک‌بیتی را به صورت خودکار شناسایی و اصلاح کند و از بروز اختلالات یا کرش سیستم جلوگیری نماید.

نحوه عملکرد ECC در این رم

رم‌های ECC با افزودن بیت‌های اضافی ساخته شده‌اند تا بتوانند خطاهای حافظه را به‌صورت خودکار تصحیح کنند. در ماژول 2Rx4، هر چیپ حافظه می‌تواند همزمان 4 بیت داده را پردازش کند و با وجود رنک‌های دوگانه (Dual Rank)، بررسی و اصلاح خطاها به‌صورت موازی انجام می‌شود. وقتی داده‌ای از حافظه خوانده می‌شود، ECC آن را بررسی کرده و در صورت شناسایی خطا، فوراً اصلاح می‌کند. این عملیات کاملاً شفاف است و نیازی به دخالت کاربر ندارد، در عین حال پایداری و امنیت داده‌ها را در محیط‌های حساس سروری تضمین می‌کند.

همین حالا خرید رم Samsung 4GB 2Rx4 DDR3-10600R-09-10-E1-P1 را با بهترین کیفیت انجام دهید و از قیمت رم Samsung 4GB 2Rx4 DDR3-10600 ECC شگفت‌زده شوید.

لازم به توضیح است که کلیه حافظه رم های ارائه‌شده توسط فروشگاه اینترنتی HPN اورجینال میباشند.